Sandisk 本日發表了突破性的 x3 NAND flash 記憶體儲存技術，可在每個 cell 上儲存 3個位元的資料，預計在 2008年三月、四月間採用 56nm 製程開始進入量產 16Gb * 3 的晶片，將可比傳統 MLC 技術(2-bit/cell)增加 20% 的產出，藉以並可降低晶片製造成本。

x3 NAND flash 是 Sandisk 與 Toshiba 共同開發的新技術，在 2008 國際固態電子電路大會(ISSCC)上，Sandisk 與 Toshiba 也展示了使用 x3 技術的 16Gb 晶片，寫入速率可達 8MB/sec。

Sandisk 也相信這項新技術將可改善現行 MLC 晶片速度不佳的狀況，將可同時滿足未來高容量、高速率的存取需求。