東芝與新帝宣佈日本12吋 NAND Flash 廠啟用
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東芝與新帝共同宣佈日本12吋NAND Flash第四製造廠正式啟用
新廠預期將成為全球最大的NAND Flash製造廠
（2007年9月7日台北訊）東芝(Toshiba)與新帝(SanDisk)日前共同舉辦最新12吋晶圓製造廠的啟用典禮，慶祝東芝位於日本三重縣四日市廠區興建的第四製造廠(Fab 4)正式啟用。
NAND Flash廣泛應用於數位媒體播放器、行動電話、電腦與記憶卡等裝置，為了因應市場上對於NAND Flash需求日益增加，東芝於2006年8月開始動工興建第四座晶圓製造廠。
第四製造廠預計從2007年12月起量產，並於2008年下半年達到月產能8萬片。新廠仍有擴展產能的空間，未來將可提昇至每月21萬片，以因應日後預期增加的市場需求。第四製造廠初期將採用最先進的56奈米(nm)製程技術，並計劃自2008年3月起，逐步轉換至43奈米製程技術。
東芝資深副總裁暨東芝半導體公司總裁兼執行長齋藤昇三表示：「東芝與新帝非常高興宣布這座新廠完工落成，第四製造廠在規模與產量上，都以世界級的產能為目標，這座製造廠將協助我們在快速成長的全球高密度NAND Flash產品市場中鞏固領導地位，更為兩家公司帶來龐大的成長動力。」
新帝執行長暨董事長Eli Harari博士指出：「第四製造廠的誕生驗證了東芝與新帝之間共同投入的心力及長期密切合作的關係。第四製造廠龐大的規模和先進技術，代表我們對未來深具信心並抱持樂觀看法，日後將以更具競爭力的產能，滿足全球客戶在往後數年對快閃記憶產品的成長需求。」
第四製造廠在設計上將天然災害對生產製造作業的衝擊減至最低。建物設計採用最新吸震結構，最高能將地震力度減少三分之二，並採用多重電力補救機制(MPC)，在發生例如雷擊等突發事件而導致突然停電時，此機制能夠立即啟用。
此建物由東芝負責施工興建，製造廠內先進的高階生產設備則由東芝與新帝於2006年7月合資成立的Flash Alliance, Ltd.(東芝持股50.1%，新帝持股49.9%)負責建置。
新廠的啟用將使東芝與新帝得以採用最先進的製程技術及多層單元(MLC)技術，進一步加強雙方的競爭力，確保在NAND Flash市場上的領導地位。
註：1奈米 = 百萬分之一公尺
關於日本四日市廠區第四製造廠：
- 建物結構：採用鋼骨架構，共有5層樓(2層樓為無塵室)
- 建物面積：約35,500平方公尺(約382,000平方英尺)
- 樓地板面積：約181,000平方公尺(約1,948,000平方英尺)
- 動工時間：2006年8月
- 完工時間：2007年7月
- 開始量產時間：2007年12月(預計)
關於日本四日市廠區：
- 地址：800日本三重縣四日市市山之一色町
- 興建年度：1992
- 總經理：戶澤周純
- 員工人數：約3,200名
- 廠區總面積：約312,300平方公尺(約3,362,000平方英尺)
- 樓地板總面積：約460,000平方公尺(約4,951,000平方英尺)(含第四製造廠)
關於 Flash Alliance, Ltd.：
- 地址：800日本三重縣四日市市山之一色町
- 成立時間：2006年7月
- 資本額：300萬日圓
- 持股比例：東芝：50.1%，新帝：49.9%